今天是2018年10月15日 星期一
 
光电材料中的界面问题
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新型半导体材料界面(表面)结构和物理特性的研究

    ▲ Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜体系异质结界面的结构;
    ▲ Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料界面的超微观结构;
    ▲ 界面晶体、原子、电子和缺陷与电学、光学性能间的关系;
    ▲ 界面结构与白光LED、光伏电池器件性能之间的内在联系。


图1 GaN单根纳米线的高分辨图像
(a) 单个纳米线的放大图像; (b) 图a中A方格区域的高分辨图像;
图a中B方格区域的高分辨图像

图2 荧光粉Y2.76Ce0.06Gd0.18Al5O12制备的白光LED的发射光谱

    发光二极管(LED:Light Emitting Diode)是二十世纪后期问世的一种新型光源。本研究将通过研究其各层间界面晶体、子、电子等超微观结构和微区能级与电性、光学性能之间的关系,发现薄膜体系结构变化对整体性能的影响规律,制备出高质量的光电器件,提高半导体材料的内量子效率,从而改善白光LED、光伏电池器件的性能。
[项目资助]
    [1] 白光LED用新型荧光粉合成机理的研究,山西省自然科学基金(2007011066),2007.01-2009.12,5万
    [2] 氮化镓纳米线的低温制备及应用开发研究,山西省回国留学人员科研项目(2008-37),2008.6-2010.12,3万
[代表性成果]
    [1] B. S. Xu, D. Y, F. Wang, J. Liang, and S. F. Ma. Synthesis of large-scale GaN nanobelts by chemical vapor deposition. Applied physics letters , 89, 2006: 074106
    [2] B. S Xu, L. Y. Zhai, J. Liang, S. F Ma, H. S. Jia, X. G. Liu. Synthesis and characterization of high purity GaN nanowires. Journal of Crystal Growth , 291 (2006) : 34–39
    [3] S. F. Ma, J. Liang, J. F. Zhao, B. S. Xu. Synthesis, characterization and growth mechanism of flower-like vanadium carbide hierarchical nanocrystals. Cryst Eng Comm, 2010, 12: 750-754
    [4] 许并社, 翟雷应, 梁建. 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法, 专利号:ZL20051 0048197.7
    [5] 山西省高等学校科技进步一等奖和山西省科学技术(技术发明类)一等奖“白光二极管及其材料的制备与特性研究”。